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Nano SIM Kaartenanschluss, 6-Pin, H 1,4 mm, Scharniertyp, mat CD-Pin KLS1-SIM-101

Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss, 6-Pin, H1,4mm, Scharnéiertyp, mat CD-Pin Material: Gehäuse: Héichtemperaturthermoplast, UL94V-0. Schwaarz. Terminal: Kupferlegierung, vergoldet um Kontaktberäich an de Lötschwänz, ënnerläit Néckel iwwerall. Hülle: Edelstol, vergoldet um Lötschwänz, ënnerläit Néckel iwwerall. Elektresch: Nennstroum: 0,5A Max. Nennspannung: 30V AC Kontaktwidderstand: 100mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min./500V DC Dielektresch Widderstand...

Nano SIM Kaartenanschluss, 6-Pin, H 1,4 mm, Scharniertyp, mat CD-Pin KLS1-SIM-077A

Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss, 6-Pin, H1,4mm, Scharniertyp, mat CD-Pin Material: Isolator: Héichtemperaturthermoplast, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung, platéiert 50u” Ni Gesamtkontakt All Au 1U. Hülle: SUS. All Ni 30U MIN. Elektresch: Stroumbewäertung: 0,5A AC/DC MAX. Spannungsbewäertung: 125V AC/DC Ëmgéigendsfiichtegkeetsberäich: 95% RH Max. Kontaktwidderstand: 80mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 100MΩ Min./100V DC Verbindungszyklen: 5000 Aschlëss. Betribstemperatur: -45ºC~+85...

Nano SIM Kaartenanschluss, 6-Pin, H 1,4 mm, Scharniertyp, ouni CD-Pin KLS1-SIM-077

Produktbiller Nano SIM Kaartenanschluss, 6-Pin, H1,4mm, Scharniertyp, ouni CD-Pin Material: Isolator: Héichtemperaturthermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, platéiert 50u” Ni Gesamtkontakt All Au 1U. Hülle: SUS. All Ni 30U/MIN. Elektresch: Stroumbewäertung: 0,5A Spannungsbewäertung: 5V AC/DC Ëmgéigendsfiichtegkeetsberäich: 95% RH Max. Kontaktwidderstand: 80mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 100MΩ Min./100V DC Verbindungszyklen: 10000 Aschlëss. Betribstemperatur: -45ºC~+85ºC Nano SIM Kaartenanschluss, 6-Pin, H1....

Nano SIM Kaartenanschluss, PUSH PULL, 6-Pin, H 1,4mm, mat CD-Pin KLS1-SIM-092

Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss, PUSH PULL, 6Pin, H1.4mm, mat CD Pin Material: Gehäuse: Héichtemperatur Thermoplast, UL94V-0. Schwaarz. Terminal: Kupferlegierung, selektiv 1u” Au op der Kontaktfläch. Hülle: Edelstol. Selektiv Goldblitz op der Lötfläch. Elektresch: Nennstroum: 0.5A Max. Nennspannung: 30V AC Kontaktwidderstand: 100mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min./500V DC Dielektresch Widderstandsspannung: 500V AC/Minutt. Haltbarkeet: 5000 Zyklen. Betribste...

Nano SIM Kaart Connector; PUSH PULL, 6 Pins, H 1,35 mm KLS1-SIM-076

Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss; PUSH PULL, 6-Pin, H1,35 mm Material: Isolator: Héichtemperaturthermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210. Beschichtet 50u” Ni am Ganzen, Kontakt All Au 1u. Hülle: SUS, Beschichtet 50u” Ni am Ganzen, PAD Au 1u. Elektresch: Stroumbewäertung: 0,5A AC/DC max. Spannungsbewäertung: 125V AC/DC Kontaktwidderstand: 100mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min. 500V DC Betribstemperatur: -45ºC~+85ºC

Nano SIM Kaart Connector; PUSH PULL, 6 Pins, H 1.2mm KLS1-SIM-D01

Produktbiller Produktinformatiounen Material: Gehäuse: Héichtemperaturthermoplastik, UL94V-0. Schwaarz Kontakt: Kupferlegierung 0,10T, Goldblitz Kontaktfläch a Lötfläch 50U” Min. Vernickelt Schuel: Edelstol 0,10T, Vernickelt Iwwerall Elektresch: Stroumbewäertung: 1A Kontaktwidderstand: 100mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 500MΩ Min. Dielektresch Widderstandsspannung: 500V RMS Min. Liewensdauer Test: 1500 Zyklen

Mikro-SIM-Kaartenanschluss, 6-Pin H1,42mm KLS1-SIM-105

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaart Connector, 6Pin H1.42mm Material: Isolator: Héichtemperatur Thermoplast, UL 94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, platéiert 50u” Ni Gesamtkontakt Au 1U Hülle: SUS, platéiert 50u” Ni Gesamt, platéiert 1u” Au Selektiv Kontaktfläch Elektresch Charakteristiken: Stroumbewäertung: 0.5mA AC/DC max. Spannungsbewäertung: 125V AC/DC Ëmgéigendstemperaturberäich: -20°C~+60°C Lagertemperaturberäich: -40°C~+70°C Ëmgéigendsfiichtegkeetsberäich: 95% RH max Kontaktwidderstand...

Mikro-SIM-Kaart CONN, 6P, H 1,45mm, SMD KLS1-SIM-046

Produktbiller Produktinformatiounen Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0 Kontakt: C5210, Vergoldet op der Kontaktfläch; Vergoldet op de Lötschwänzchen; Mat engem Kontakt ënnervergoldet Nickelhülle: SUS304, Vergoldet am Allgemengen, Vergoldet op de Lötschwänzchen Elektresch Spezifikatiounen: Stroumbewäertung: 0,5A Spannungsbewäertung: 5V Kontaktwidderstand: 50mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min. Haltbarkeet: 3000 Zyklen Min.

Micro SIM Kaartenanschluss, 8-Pin H1,5mm, Scharniertyp KLS1-SIM-089

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaartenanschluss, 8-Pin H1,5mm, Scharnéiertyp Material Gehäuse: Thermoplast, UL94V-0. Terminal: Phosphorbronze, T=0,15, Ni-beschichtet ënner, Au-beschichtet op der Kontaktfläch, G/F-beschichtet um Läitschwanz. Hülle: Edelstol, T=0,15, Ni-beschichtet ënner, G/F-beschichtet um Läitschwanz. Elektresche Kontaktwidderstand: 60mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min. Dielektresch Widderstandsspannung: 500V AC fir 1 Minutt. Haltbarkeet: 5000 Zyklen. Betribstemperatur: -45ºC~+85ºC

Micro SIM Kaartenanschluss, 6-Pin H1,8mm, Scharniertyp KLS1-SIM-072

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaartenanschluss, 6-Pin H1.8mm, Scharnéiertyp Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0, Schwaarz. Terminal: Kupferlegierung. Hülle: Edelstol. Elektresch: Stroumbewäertung: 1A Max. Spannungsbewäertung: 30V DC max. Kontaktwidderstand: 30mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min. Dielektrizitéitsspannung: 500V rms/min. Haltbarkeet: 5000 Zyklen. Betribstemperatur: -45ºC~+85ºC

Micro SIM Kaart Connector, 6Pin H1.5mm, Schacht Typ KLS1-SIM-075

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaartenanschluss, 6Pin H1.5mm, Schachttyp Material: Isolator: Héichtemperatur Plastik, UL94V-0, Schwaarz. Terminal: Kupferlegierung. Goldblitzbeschichtung op alle Terminalen, Aad 50u” min Néckel iwwerall. Hülle: 50u” Néckel iwwerall, Goldblitz um Lötpad. Elektresch: Stroum Bewäertung: 0.5A Spannungs Bewäertung Spannung: 5.0 Vrms Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min./500V DC Widderstandsspannung: 250V ACrms Fir 1 Minutt Kontakt Resistance...

Micro SIM Kaartenanschluss, 6P, PUSH PULL, H 1.5mm KLS1-SIM-099

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaartenanschluss, 6P, PUSH PULL, H1.5mm Material Gehäuse: Thermoplastik, UL94V-0. Terminal: Kupferlegierung, vergoldet op der Kontaktfläch a Läitschnitzelen, vernickelt am Ganzen. Hülle: Edelstol. Vernickelt am Ganzen. Vergoldet op de Läitschnitzelen. Elektresch: Stroumbewäertung: 1.0 A max. Kontaktwidderstand: 30mΩ Max. Dielektresch Widderstandsspannung: 500V AC Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min./500V DC Betribstemperatur: -45ºC~+85ºC

Micro SIM Kaartenanschluss, 8P, PUSH PULL, H 1.5mm KLS1-SIM-091

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaartenanschluss, 8P, PUSH PULL, H1.5mm Elektresch: Nennstroum: 1.0A Nennspannung: 30V Kontaktwidderstand: 50mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min./500V DC Dielektresch Widderstandsspannung: 500V AC Lötfäegkeet: 250oC~%%P5oC, 10%%P0.5s Haltbarkeet: 5000 Zyklen Min. Kontaktwidderstand: 50mΩ Max. Betribstemperatur: -45ºC~+85ºC

Mikro-SIM-Kaartenanschluss, 6P

Produktbiller

Mikro-SIM-Kaartenanschluss, 6P

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Mikro-SIM-Kaartenanschluss, 8P

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Mikro-SIM-Kaartenanschluss, 8P

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Mikro-SIM-Kaartenanschluss, 8P

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Mikro-SIM-Kaartenanschluss, 6P

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Mikro-SIM-Kaartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+1P oder 8P+1P, H 1,50mm KLS1-SIM-090

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaart Connector; PUSH PUSH, 6P+1P oder 8P+1P, H1.50mm Elektresche Stroum Bewäertung: 0.5A Spannung Bewäertung: 5.0 Vrms Kontaktwidderstand: 100mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000M Min. Widderstandsspannung: 250V ACrms fir 1 Minutt. Betribstemperaturberäich: -45℃-+105℃ Material: Isolator: Héichtemperatur Plastik, UL94V-0, Schwaarz Terminal: Kupferlegierung, Gold Beschichtung op all Terminalen, a 50u” Min Néckel Verschluss op der ganzer Säit. Hülle: Edelstol, 50u&...

Micro SIM Kaart Connector; PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H 1.35mm KLS1-SIM-069

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaart Connector; PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H1.35mm, Ouni Post. Material: Isolator: Héichtemperaturthermoplast, UL94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, platéiert 50U” Ni Gesamtkontakt Au 1U Hülle: SUS, platéiert 50U” Ni Gesamtplatéiert 1u” Au Selektiv Kontaktfläch Elektresch: Stroum Bewäertung: 0.5A Max. Spannung Bewäertung: 5V AC/DC Kontaktwidderstand: 100m Max. Isolatiounswidderstand: 1000M Min./500VDC Ëmgéigend Fiichtegkeetsberäich: 95% RH Max. Mati...

Micro SIM Kaart Connector 8P, Push-Pull, H2.4mm KLS1-SIM-044-8P

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaartenanschluss 8P, PUSH PULL, H2.4mm Material: Basis: Héichtemperatur Thermoplast, UL94V-0. Schwaarz. Datenkontakt: Kupferlegierung, vergoldet. Hülle: Edelstol, vergoldet. Elektresch: Kontaktwidderstand: 50mΩ typesch, 100Ω Max. Isolatiounswidderstand: >1000MΩ/500V DC. 3. Lätbarkeet Dampphas: 215ºC.30Sek. Max. IR-Flutstrom: 250ºC.5Sek. Max. Manuell Lätung: 370ºC.3Sek. Max. Betribstemperatur: -45ºC~+105ºC

Micro SIM Kaart Connector 6P, Push-Pull, H2.4mm KLS1-SIM-044-6P

Produktbiller Produktinformatiounen Micro SIM Kaartenanschluss 6P, PUSH PULL, H2.4mm Material: Basis: Héichtemperatur Thermoplast, UL94V-0. Schwaarz. Datenkontakt: Kupferlegierung, vergoldet. Hülle: Edelstol, vergoldet. Elektresch: Kontaktwidderstand: 50mΩ typesch, 100Ω Max. Isolatiounswidderstand: >1000MΩ/500V DC. 3. Lätbarkeet Dampphas: 215ºC.30Sek. Max. IR-Flut: 250ºC.5Sek. Max. Manuell Lätung: 370ºC.3Sek. Max. Betribstemperatur: -45ºC~+105ºC

SIM-Kaartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+2P, H 1,80mm, Mat oder Ouni Post. KLS1-SIM-110

Produktbiller Produktinformatiounen SIM-Kaartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+2P, H 1,80 mm Mat oder ouni Post. Material: Gehäusematerial: LCP UL94V-0 Kontaktmaterial: Zinn-Bronze Verpackung: Band- a Spulverpackung Elektresch Charakteristiken: Spannungsbewäertung: 100V AC Stroumbewäertung: 0,5A Max. Widderstandsspannung: 250V AC/1 Minutt Isolatiounswidderstand: ≥1000ΜΩ Kontaktwidderstand: ≤30mΩ Liewensdauer: >5000 Zyklen Betribstemperatur: -45ºC~+85ºC
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