Produktbiller Produktinformatiounen Duebele SIM-Kaartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm Material: Gehäuse: Hi-TEMP Plastik, UL94V-0. Schwaarz. Terminal: Kupferlegierung Hülle: Edelstol Uewerfläch: Terminal: Au plated op der Kontaktfläch, Matt verzinnt op de Lötschwänz iwwer Néckel plated Hülle: Au plated op de Lötschwänz iwwer Néckel plated Elektresch: Kontaktwidderstand: 50 mΩ Max. Widderstandsspannung: 350 V AC rms fir 1 Minutt Isolatiounswidderstand: 1000 MΩ ...
Produktbiller Produktinformatiounen Duebele SIM-Kaartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm Material: Gehäuse: Héichtemperaturplastik, UL94V-0, Schwaarz. Terminal: Kupferlegierung. Vergoldete Blëtz op all Terminaler, AN 50u” Min. Néckel iwwerall. Hülle: Edelstol. 50u” Néckel iwwerall, Vergoldete Blëtz um Lötpad. Elektresch: Stroumbewäertung: 0,5 A. Spannungsbewäertung: 5,0 Vrms. Isolatiounswiderstand: 1000MΩ Min. Bei DC500V DC. Spannungsbeständegkeet: 250V AC RMS fir 1 Minutt. Kontakt...
Nano SIM Kaartenanschluss, PUSH PUSH, 6-Pin, H 1,25 mm, mat CD-Pin KLS1-SIM-103
Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss, PUSH PUSH, 6Pin, H1.25mm, mat CD Pin Material: Kontakt: Kupferlegierung. Au iwwer Ni. Gehäuse: Mat Glas gefëllte LCP. Hülle: Edelstahl. Au iwwer Ni. GND Rahmen: Kupferlegierung. Au iwwer Ni. Detektiounsschalter: Kupferlegierung. Au iwwer Ni. Schiebe: Mat Glas gefëllte Pa10t. Feder: Edelstahl. Haken: Edelstahl. Elektresch: Nennstroum: 0.5A Max. Nennspannung: 30V AC Kontaktwidderstand: 100mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min./500VDC Dielektresch Widderstandsspannung: 500...
Nano SIM Kaart Connector, Schachttyp, 6Pin, H 1.55mm, mat CD Pin KLS1-SIM-104
Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss, Schachttyp, 6-Pin, H 1,55 mm, mat CD-Pin Elektresch: Stroumbewäertung: 1 Amp/Pin. MAX. Spannung: 30 V DC. MAX. Niddregkontaktwidderstand: 30 mΩ Max. Ufanks. Dielektresch Widderstandsspannung: 500 V AC MIN. Fir 1 Minutt. Isolatiounswidderstand: 100 MΩ Min. 500 V DC. Fir 1 Minutt. Haltbarkeet: 1500 Zyklen. Betribstemperatur: -45 ºC~+85 ºC
Nano SIM Kaart Connector, Schachttyp, 6Pin, H 1.5mm, mat CD Pin KLS1-SIM-102
Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss, Schachttyp, 6-Pin, H 1,5 mm, mat CD-Pin Elektresch: Stroumbewäertung: 1 Amp/Pin. MAX. Spannung: 30 V DC. MAX. Niddregkontaktwidderstand: 30 mΩ Max. Ufanks. Dielektresch Widderstandsspannung: 500 V AC MIN. Fir 1 Minutt. Isolatiounswidderstand: 100 MΩ Min. 500 V DC. Fir 1 Minutt. Haltbarkeet: 1000 Zyklen. Betribstemperatur: -45 ºC~+85 ºC
Nano SIM Kaart Connector; MID Mount Tray Typ, 6Pin, H 1.5mm, mat CD Pin KLS1-SIM-100
Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss; MID Mount Tray-Typ, 6Pin, H1.5mm, mat CD Pin Material: Plastik: LCP, UL94V-0.Schwaarz. Kontakt: C5210 Hülle: SUS304 Tray: LCP, UL94V-0.Schwaarz. Beschichtung: Kontakt: Kontaktfläche: G/F Beschichtung; Lötschwanzfläche: 80u” Matt Zinn Hülle: Beschichtung iwwer 30u” Ni Lötbar 30u” Ni Beschichtung iwwerall. Kontakt- a Schwanzkoplanaritéit ass insgesamt 0.10mm.
Nano SIM Kaart Connector; PUSH PULL, 6 Pins, H 1,35 mm KLS1-SIM-076
Produktbiller Produktinformatiounen Nano SIM Kaartenanschluss; PUSH PULL, 6-Pin, H1,35 mm Material: Isolator: Héichtemperaturthermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210. Beschichtet 50u” Ni am Ganzen, Kontakt All Au 1u. Hülle: SUS, Beschichtet 50u” Ni am Ganzen, PAD Au 1u. Elektresch: Stroumbewäertung: 0,5A AC/DC max. Spannungsbewäertung: 125V AC/DC Kontaktwidderstand: 100mΩ Max. Isolatiounswidderstand: 1000MΩ Min. 500V DC Betribstemperatur: -45ºC~+85ºC